 Компания Toshiba на днях анонсировала выпуск модулей
встраиваемой NAND-памяти емкостью 128 Гб. Это самые емкие модули такого класса
в отрасли, отмечает производитель.
Новые устройства полностью соответствуют спецификации e-MMC
и нацелены на использование в широком диапазоне цифровой потребительской
электроники, включая смартфоны, планшетные ПК и видеокамеры. Ознакомительные
образцы будут доступны уже в сентябре, а массовое производство запланировано на
четвертый квартал 2010 года.
128-Гб модуль с габаритами 17 х 22 х 1,4 мм включает 16 64-Гбит
NAND-микросхем, выпущенных по 32-нм техпроцессу, и контроллер памяти. Толщина
каждой микросхемы составляет всего 30 мкм.
Помимо 128-Гб модели, Toshiba также представит версию с
емкостью 64 Гб.
Спецификации:
Интерфейс JEDEC e-MMC v4.4 HS-MMC;
Напряжение питания ядра памяти 2,7-3,6 В;
Ширина шины х1, х4, х8;
Скорость записи до 21 Мб/с;
Скорость чтения до 55 Мб/с;
Температурный диапазон -25 - +85 °C;
Корпус 237-контактный FBGA.
Internet.ua
| 
